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SiC功率器件

SiC肖特基二极管, SiCMOSFET, SiC功率模块, SiC MOSFET Bare Die

Description

Lineup

因为Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低开关损失,实现高速开关。而且,Si快速恢复二极管的trr会随着温度上升而增大,而SiC则可以维持大体一定的特性。

开关时的差动放大电流原则上是没有的,所以可以高速运作,开关损失降低。 小尺寸芯片的导通电阻低,所以实现低容量・低门极消耗。 Si产品随温度的上升导通电阻上升2倍以上,SiC的导通电阻上升小,可以实现整机的小型化和节能化。

内置的功率半导体元件全部由SiC构成,与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET,与传统的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高频环境下工作成为可能。

 

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