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存储器

FeRAM是通过铁电工程与硅栅极技术所开发的32kbit-256kbit的范围构成的铁电随机存取存储器。

FeRAM

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Parallel BUS FeRAM

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I2C BUS FeRAM

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产品简介

FeRAM是通过铁电工程与硅栅极技术所开发的32kbit-256kbit的范围构成的铁电随机存取存储器。

本产品不需要使用电池的备份、可以高速度地随机读写、有高读写寿命- 保障约1兆次、低功耗工作。

适用于多样应用程序。 对于蓝碧石半导体的FeRAM产品、通过罗姆集团内一贯的生产体制的结果、可以保证高品质地且稳定地供给预定。

产品特点

特点1
绝对多数的读写耐受性, Flash的100万倍可以读写

比Flash的10-100万次、FeRAM的1兆次数是100万倍这样绝对多数的读写耐受性。

而且、因为可以继续数据更新、无需要新不足引起的通过微控制器的写入地址管理。

特点2
高速度读写, Flash的10万倍高速度

FeRAM与Flash相比、读写速度也占先。

因为FeRAM无需要取消工作及写入编码工作、对于读写1byte的读写、FeRAM:150ns 比较Flash:700ms 起来、有性能10万倍快速读写。

特点3
低功耗, Flash百分之一以下的低功耗

无需要取消工作及写入编码工作的FeRAM、对于消耗电力也占先。

因为无需要取消工作及写入编码工作、FeRAM(0.2mW)与Flash (35mW)相比、可以由百分之一的电力读写。

电源切断时通过躲避数据的自己消耗量小、电源落下速度慢、可以保持躲避数据的充分时间。

特点4
内置纠错校正功能提高可靠性

所有的FeRAM产品内置纠错校正(Error Check and Correction)功能。

存储器具备数据领域及已校正符号的数据领域。

可以读出一对的数据群与已校正符号的数据领域。即使比特错误发生、也通过纠错校正功能、可以输出已修正错误的数据。

 
特点5
高可靠性的Cu即铜制引线框
铜制引线框

为确保车载应用所需的连接时可靠性、需要铜(Cu)引线框。

产品线也有铜(Cu)引线框产品。

 

适用领域

FeRAM

 

FeRAM 技术资料下载


 

技术规格

rev.

用户手册

rev.

白皮书

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勘誤表

rev.

其他

rev.

封装代码

封装外形尺寸图
装配规格

环保数据

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使用交叉参照表、搜索铁电存储器产品名的办法也就是说、参照其他公司的铁电存储器产品名、搜索蓝碧石半导体的相当铁电存储器产品后、对客户提出的服务。

使用交叉参照表时,可以参照的其他产品的公司名为Cypress、Fujitsu。

请您输入上述厂家的产品名以半角字母数字最少5个字。可以输入一部分的产品名。

显示出搜索通过交叉参照表搜索后的铁电存储器产品名

 

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技术规格

情况

网购

 

此交叉参照表上显示的信息也就是说、根据取得时的该厂家产品信息、蓝碧石半导体判断的客观的数据。

此信息基本上为参考地提出。搜索后显示出的蓝碧石半导体产品品名是与其他公司发表的产品信息相比、判断互相产品功能是相同的结果。请您再一次读技术规格等最后负责是否引用我公司交叉参照的结果。

这样对于提供给信息的正确/完备程度、蓝碧石半导体不能承担所有的责任、而且敬请谅解未预告更改。