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搭载超高速串行总线的铁电存储器“FeRAM MR44V064B / MR45V064B”

LAPIS Semiconductor开发出搭载超高速串行总线的
铁电存储器“FeRAM MR44V064B / MR45V064B”

∼ 实现业界顶级的最低工作电压、工作频率,有助于IoT领域的发展 ∼

2016年02月23日

概要

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64Kbit 铁电存储器注1(以下称“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。

作为下一代非易失性存储器而备受期待的FeRAM,与已普及的一般非易失性存储器相比,具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”、“低功耗”的特点,因此,是一种有助于实现应用的节电化和高性能化的器件。

新产品不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压,而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。2节AAA充电电池可实现约11年的擦写寿命(每秒擦写64Kbit时)等优势,非常有助于应用实现更长时间的驱动,还可扩大应用到便携设备和IoT领域。另外,支持的最大工作频率高达40MHz(SPI总线),仅1.64msec即可完成64Kbit的数据擦写,因此,即使系统发生异常也可进行超高速备份,从而保证数据的高可靠性。不仅如此,还具备两种不同的串行总线 (I2C总线、SPI总线),可灵活应对客户的系统规格。

本产品已从2016年1月起开始量产销售(样品价格 500日元/个,不含税)。前期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市),后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc. (菲律宾)。

今后,蓝碧石半导体还会继续开发省电且高性能的产品,不断完善能够满足客户需求的、具备各种容量和接口等的产品阵容。

【术语解说】

  • 注1 : 铁电存储器
  • 铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使断电也可保存存储数据的非易失性存储器之一,存储元件采用铁电电容,具有高速数据擦写、高擦写耐久性以及低功耗的特点。

背 景

近年来,随着节能化的发展趋势,不仅车载、工业设备,几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时,随着高性能化发展,数据量日益增加,还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。

蓝碧石半导体利用ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石半导体的存储器设计技术双重优势,从2011年开始逐步扩充FeRAM系列产品。

 

特点

1. 最低工作电压1.8V,可实现电池的长时间驱动


  • 利用ROHM的低功耗铁电工艺技术优势,以及确保低电压下选择存储器数据的晶体管栅极电位,实现了业界顶级的1.8V最低工作电压。
    由此,仅2节镍氢充电电池也可使用存储器。例如,用2节AAA充电电池按每秒每次64Kbit(原稿纸约10张)持续进行数据擦写,也可工作约11年,因此还可应用于需要长时间电池驱动的IoT领域。

2. 实现业界顶级的高速工作


  • 通过减轻存储数据的铁电电容选择时的选择器负载,实现了超高速存取。I2C支持业界顶级工作频率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持业界顶级的高达40MHz的工作频率,从而增强了FeRAM的优势之一―高速数据擦写特点。
    64Kbit的数据擦写时间仅需1.64msec,速度非常快,因此即使发生停电等意外电压下降故障,也可在断电前备份数据,因此数据丢失的风险非常低,无需配置用于应对停电的延长供电的部件。非常适用于要求高速性且高数据保存安全性的应用。

应用领域

  • 工业设备、汽车配件、医疗设备、便携设备、IoT领域

销售计划

  • 产品名 : MR44V064B / MR45V064B
  • 量产销售时间 : 2016年1月起
  • 量产销售数量 : 月産50万個
  • 样品价格 : 500日元/个(不含税)

规格概要

項目 MR44V064B MR45V064B
存储器配置 8千字 × 8bit
电源电压 1.8V ∼ 3.6V
工作温度 -40°C ∼ 85°C
待机电流 (MAX) 10µA
工作电流 (MAX) 300µA
(F/S-mode Plus 1MHz)
3mA (40MHz)
读写耐久性 1兆次
数据保存期 10年
封装 8引脚塑料SOP
(P-SOP8-200-1.27-T2K)
接口 I2C SPI
工作频率 3.4HMz (Hs-mode)
1MHz (F/S-mode Plus)
400kHz (F/S-mode)
40MHz (max)

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